JANTXV1N5618

Microsemi

გამოსახულება შეიძლება იყოს წარმომადგენლობა. იხილეთ დეტალები პროდუქტის დეტალებზე.

პროდუქტის მიმოხილვა

ნაწილი ნომერი:	JANTXV1N5618
მწარმოებელი / ბრენდი:	Microsemi
Პროდუქტის აღწერა	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
მონაცემთა ბაზები:	JANTXV1N5618.pdf
RoHs სტატუსი	შეიცავს ტყვიის / RoHS შეუსაბამო
საფონდო მდგომარეობა	6620 pcs stock
გემიდან	ჰონგ კონგი
გადაზიდვის გზა	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6620 pcs

საცნობარო ფასი (აშშ დოლარებში)

1 pcs: $4.931

მოითხოვეთ ციტატა: გთხოვთ შეავსოთ ყველა საჭირო ველი თქვენი საკონტაქტო ინფორმაციაზე. დააჭირეთ " SUBMIT RFQ " დაგვიკავშირდით ცოტა ხნით ელ. ან მოგვწერეთ:Info@infinity-electronic.com

მიზნის ფასი:
Qty:

სულ:$4.931

გთხოვთ მოგვცეს თქვენი სამიზნე ფასი, თუ რაოდენობით მეტია ნაჩვენები.

ნაწილი ნომერი
კომპანიის სახელი
საკონტაქტო სახელი
ელ.ფოსტა
შეტყობინება

სპეციფიკაციები JANTXV1N5618

ნაწილი ნომერი	JANTXV1N5618	მწარმოებელი	Microsemi
აღწერა	DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL	იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	შეიცავს ტყვიის / RoHS შეუსაბამო
რაოდენობა ხელმისაწვდომია	6620 pcs	მონაცემთა ფურცელი	JANTXV1N5618.pdf
ძაბვა - თავდამსხმელი (Vf) (მაქს) @ თუ	1.3V @ 3A	ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური)	600V
სიჩქარე	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	სერია	Military, MIL-PRF-19500/427
უკუ აღდგენის დრო (trr)	2µs	შეფუთვა	Bulk
პაკეტი / საქმე	A, Axial	Სხვა სახელები	1086-2829 1086-2829-MIL
ოპერაციული ტემპერატურა - Junction	-65°C ~ 200°C	სამონტაჟო ტიპი	Through Hole
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL)	1 (Unlimited)	იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	Contains lead / RoHS non-compliant
დიოდი ტიპი	Standard	დეტალური აღწერა	Diode Standard 600V 1A Through Hole
აქტუალური - უკუ Leakage @ Vr	500nA @ 600V	აქტუალური - საშუალო გამოსწორებული (Io)	1A
Capacitance @ Vr, F	-

გადაზიდვა
გაყიდვების შემდეგ
მონაცემთა ბაზები

FREE SHIPPING VIA DHL / FEDEX / UPS თუ შეკვეთა AMOUNT 1000 USD.
(მხოლოდ ინტეგრირებული მიკროსქემების, მიკროსქემების დაცვის, RF / IF და RFID, ოპტოელექტრონი, სენსორები, გარდამქმნელები, ტრანსფორმატორები, იზოლატორები, კონცენტრატორები,

FEDEX	www.FedEx.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
DHL	www.DHL.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
UPS	www.UPS.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
TNT	www.TNT.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.

Delivery დრო დასჭირდება 2-4 დღე ქვეყნის უმრავლესობას DHL / UPS / FEDEX / TNT- ის მიერ.

გთხოვთ მოგერიდებათ დაგვიკავშირდეთ თუ გაქვთ რაიმე შეკითხვა გადაზიდვაზე. მოგვწერეთ Info@infinity-electronic.com

შემდგომი გაყიდვების გარანტია

Infinity-Semiconductor.com- ს თითოეული პროდუქტი 1 წელიწადში გარანტიითაა გათვალისწინებული .ამ პერიოდში, ჩვენ შეგვიძლია გავცეთ თავისუფალი ტექნიკური უზრუნველყოფა თუ ჩვენი პროდუქციის შესახებ რაიმე პრობლემა არსებობს.
თუ ხარისხის პროდუქციის შესახებ ჩვენი პროდუქციის მიღწევის შემდეგ ხარისხის პრობლემები აღმოაჩენთ, თქვენ შეგიძლიათ შეამოწმოთ ისინი და უპირობო დაბრუნების შემთხვევაში გამოიყენონ.
თუ პროდუქტი ნაკლოვანებებია ან არ მუშაობს, შეგიძლიათ დაბრუნდეთ ჩვენ 1 წლის განმავლობაში, ყველა სატრანსპორტო და საბაჟო გადასახადი გვაკისრია.

მსგავსი პროდუქტები

: JANTXV1N5617US; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF; Საწყობში: 7979 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5617US.pdf; RFQ

: JANTXV1N5621US; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A; Საწყობში: 5440 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5621US.pdf; RFQ

: JANTXV1N5621; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL; Საწყობში: 7338 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5621.pdf; RFQ

: JANTXV1N5615; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL; Საწყობში: 7761 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5615.pdf; RFQ

: JANTXV1N5620; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 800V 1A; Საწყობში: 6832 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5620.pdf; RFQ

: JANTXV1N5617; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL; Საწყობში: 5691 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5617.pdf; RFQ

: JANTXV1N5616; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL; Საწყობში: 5859 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5616.pdf; RFQ

: JANTXV1N5616US; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A; Საწყობში: 5526 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5616US.pdf; RFQ

: JANTXV1N5618US; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A; Საწყობში: 7294 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5618US.pdf; RFQ

: JANTXV1N5619US; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 600V 1A A-MELF; Საწყობში: 7321 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5619US.pdf; RFQ

: JANTXV1N5615US; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A; Საწყობში: 8477 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5615US.pdf; RFQ

: JANTXV1N5619; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL; Საწყობში: 9482 pcs; ჩამოტვირთვა: JANTXV1N5619.pdf; RFQ

მრეწველობა სიახლეები

Rohm დასძენს 10 საავტომობილო SiC mosfets: "SCT3xxxxxxHR სერიის დანერგვა საშუალებას აძლევს Rohm შესთავაზ...

ჩართულია SiC MOSFET- ებზე: სემიკონდუქტორს წარუდგინა ორი SiC MOSFETS, რომელიც მიზნად ის...

APEC: TI ფიქრობს, რომ გვიან მივყავით AC-DC ჩიპი 15 მტ სტენით: "ეს ხელსაწყო აღწევს საუკეთესო ბალანსს მაღალი ეფექტურო...

სპონსორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრის ანალიზატორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრი ანალიზატორი არის ძალიან ძლიერი და მო...

ნახევრად საწარმოო დანადგარებს, სავარაუდოდ, 14% -ით შემცირდა და მომავალ წელს 27% -ით იზრდება: მეხსიერების სექტორში შეფერხების შედეგად, 2019 წელს შემც...

დენის ბეჭედი ალიანსი წყვეტს მასპინძელი CPU- ს, რათა უზრუნველყოს PSU- ების მონიტორინგი და დაამატოს მითითება: ალიანსმა (Artesyn ჩამონტაჟებული ტექნოლოგიები, Bel Power და STMicr...

APEC: SiC ძალა და გაუმჯობესდა Cloud დაფუძნებული დენის ინსტრუმენტები: ძიების შესაძლებლობები გაუმჯობესდა და არსებობს კარუსე...

Dengrove დასძენს სივრცეში გადარჩენის DC / DC კონვერტორები საწყისი Recom: ისინი განკუთვნილია აპლიკაციებისთვის, რომლებიც საჭირო...

პირველი სამხედრო-კვალიფიცირებული Arm პროცესორი hi-rel განაცხადების: LS1046A არის NXP- ის 64-ბიტიანი Arm Layerscape პორტფელის ნაწილი, რომ...

აირჩიეთ თქვენი ქვეყანა ან რეგიონი.