SI4410BDY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

გამოსახულება შეიძლება იყოს წარმომადგენლობა. იხილეთ დეტალები პროდუქტის დეტალებზე.

პროდუქტის მიმოხილვა

ნაწილი ნომერი:	SI4410BDY-T1-GE3
მწარმოებელი / ბრენდი:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Პროდუქტის აღწერა	MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
მონაცემთა ბაზები:	SI4410BDY-T1-GE3.pdf
RoHs სტატუსი	იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
საფონდო მდგომარეობა	64294 pcs stock
გემიდან	ჰონგ კონგი
გადაზიდვის გზა	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64294 pcs

საცნობარო ფასი (აშშ დოლარებში)

1 pcs: $0.467

10 pcs: $0.413

100 pcs: $0.326

500 pcs: $0.253

მოითხოვეთ ციტატა: გთხოვთ შეავსოთ ყველა საჭირო ველი თქვენი საკონტაქტო ინფორმაციაზე. დააჭირეთ " SUBMIT RFQ " დაგვიკავშირდით ცოტა ხნით ელ. ან მოგვწერეთ:Info@infinity-electronic.com

მიზნის ფასი:(USD)
Qty:

სულ:$0.467

გთხოვთ მოგვცეს თქვენი სამიზნე ფასი, თუ რაოდენობით მეტია ნაჩვენები.

ნაწილი ნომერი
კომპანიის სახელი
საკონტაქტო სახელი
ელ.ფოსტა
შეტყობინება

სპეციფიკაციები SI4410BDY-T1-GE3

ნაწილი ნომერი	SI4410BDY-T1-GE3	მწარმოებელი	Electro-Films (EFI) / Vishay
აღწერა	MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC	იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
რაოდენობა ხელმისაწვდომია	64294 pcs	მონაცემთა ფურცელი	SI4410BDY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
ტექნიკა	MOSFET (Metal Oxide)	სერია	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 10A, 10V	დენის წყობა (მაქსიმალური)	1.4W (Ta)
შეფუთვა	Cut Tape (CT)	პაკეტი / საქმე	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Სხვა სახელები	SI4410BDY-T1-GE3CT	ოპერაციული ტემპერატურა	-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount	ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL)	1 (Unlimited)
იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	Lead free / RoHS Compliant	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 5V
FET ტიპი	N-Channel	FET ფუნქცია	-
Drive Voltage (Max საკაბელო On, Min RDS On)	10V	გადინების წყარო ძაბვა (Vdss)	30V
დეტალური აღწერა	N-Channel 30V 7.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount	მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C	7.5A (Ta)

გადაზიდვა
გაყიდვების შემდეგ
მონაცემთა ბაზები

FREE SHIPPING VIA DHL / FEDEX / UPS თუ შეკვეთა AMOUNT 1000 USD.
(მხოლოდ ინტეგრირებული მიკროსქემების, მიკროსქემების დაცვის, RF / IF და RFID, ოპტოელექტრონი, სენსორები, გარდამქმნელები, ტრანსფორმატორები, იზოლატორები, კონცენტრატორები,

FEDEX	www.FedEx.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
DHL	www.DHL.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
UPS	www.UPS.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
TNT	www.TNT.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.

Delivery დრო დასჭირდება 2-4 დღე ქვეყნის უმრავლესობას DHL / UPS / FEDEX / TNT- ის მიერ.

გთხოვთ მოგერიდებათ დაგვიკავშირდეთ თუ გაქვთ რაიმე შეკითხვა გადაზიდვაზე. მოგვწერეთ Info@infinity-electronic.com

შემდგომი გაყიდვების გარანტია

Infinity-Semiconductor.com- ს თითოეული პროდუქტი 1 წელიწადში გარანტიითაა გათვალისწინებული .ამ პერიოდში, ჩვენ შეგვიძლია გავცეთ თავისუფალი ტექნიკური უზრუნველყოფა თუ ჩვენი პროდუქციის შესახებ რაიმე პრობლემა არსებობს.
თუ ხარისხის პროდუქციის შესახებ ჩვენი პროდუქციის მიღწევის შემდეგ ხარისხის პრობლემები აღმოაჩენთ, თქვენ შეგიძლიათ შეამოწმოთ ისინი და უპირობო დაბრუნების შემთხვევაში გამოიყენონ.
თუ პროდუქტი ნაკლოვანებებია ან არ მუშაობს, შეგიძლიათ დაბრუნდეთ ჩვენ 1 წლის განმავლობაში, ყველა სატრანსპორტო და საბაჟო გადასახადი გვაკისრია.

დაკავშირებული Tags

Electro-Films (EFI) / Vishay SI4410BDY-T1-GE3
SI4410BDY-T1-GE3 დისტრიბუტორი
SI4410BDY-T1-GE3 მომწოდებელი
SI4410BDY-T1-GE3 ფასი
SI4410BDY-T1-GE3 სურათები
SI4410BDY-T1-GE3 გამოსახულება
SI4410BDY-T1-GE3 PDF Datasheet
SI4410BDY-T1-GE3 Download Datasheet
SI4410BDY-T1-GE3 Datasheet
SI4410BDY-T1-GE3 საფონდო
შეიძინეთ SI4410BDY-T1-GE3
შეიძინეთ Electro-Films (EFI) / Vishay SI4410BDY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay SI4410BDY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay მომწოდებელი
Electro-Films (EFI) / Vishay დისტრიბუტორი
Electro-Films (EFI) / Vishay SI4410BDY-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay SI4410BDY-T1-GE3
Vishay Electro-Films SI4410BDY-T1-GE3
Phoenix Passive Components / Vishay SI4410BDY-T1-GE3

მსგავსი პროდუქტები

: SI4409DY-T1-E3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC; Საწყობში: 4523 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4409DY-T1-E3.pdf; RFQ

: SI4411DY-T1-E3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC; Საწყობში: 4591 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4411DY-T1-E3.pdf; RFQ

: SI4410DY; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; Საწყობში: 208961 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4410DY.pdf; RFQ

: SI4409DY-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC; Საწყობში: 5427 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4409DY-T1-GE3.pdf; RFQ

: SI4410DY,518; მწარმოებლები: NXP Semiconductors / Freescale; აღწერა: MOSFET N-CH 30V SOT96-1; Საწყობში: 4779 pcs; ჩამოტვირთვა:; RFQ

: SI4410DYPBF; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; Საწყობში: 187404 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4410DYPBF.pdf; RFQ

: SI4410BDY-T1-E3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC; Საწყობში: 258209 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4410BDY-T1-E3.pdf; RFQ

: SI4408DY-T1-E3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC; Საწყობში: 38157 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4408DY-T1-E3.pdf; RFQ

: SI4408DY-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC; Საწყობში: 45307 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4408DY-T1-GE3.pdf; RFQ

: SI4410DY; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; Საწყობში: 6183 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4410DY.pdf; RFQ

: SI4406DY-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; Საწყობში: 6880 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4406DY-T1-GE3.pdf; RFQ

: SI4410DYTRPBF; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC; Საწყობში: 217457 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4410DYTRPBF.pdf; RFQ

მრეწველობა სიახლეები

Rohm დასძენს 10 საავტომობილო SiC mosfets: "SCT3xxxxxxHR სერიის დანერგვა საშუალებას აძლევს Rohm შესთავაზ...

ჩართულია SiC MOSFET- ებზე: სემიკონდუქტორს წარუდგინა ორი SiC MOSFETS, რომელიც მიზნად ის...

APEC: TI ფიქრობს, რომ გვიან მივყავით AC-DC ჩიპი 15 მტ სტენით: "ეს ხელსაწყო აღწევს საუკეთესო ბალანსს მაღალი ეფექტურო...

სპონსორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრის ანალიზატორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრი ანალიზატორი არის ძალიან ძლიერი და მო...

ნახევრად საწარმოო დანადგარებს, სავარაუდოდ, 14% -ით შემცირდა და მომავალ წელს 27% -ით იზრდება: მეხსიერების სექტორში შეფერხების შედეგად, 2019 წელს შემც...

დენის ბეჭედი ალიანსი წყვეტს მასპინძელი CPU- ს, რათა უზრუნველყოს PSU- ების მონიტორინგი და დაამატოს მითითება: ალიანსმა (Artesyn ჩამონტაჟებული ტექნოლოგიები, Bel Power და STMicr...

APEC: SiC ძალა და გაუმჯობესდა Cloud დაფუძნებული დენის ინსტრუმენტები: ძიების შესაძლებლობები გაუმჯობესდა და არსებობს კარუსე...

Dengrove დასძენს სივრცეში გადარჩენის DC / DC კონვერტორები საწყისი Recom: ისინი განკუთვნილია აპლიკაციებისთვის, რომლებიც საჭირო...

პირველი სამხედრო-კვალიფიცირებული Arm პროცესორი hi-rel განაცხადების: LS1046A არის NXP- ის 64-ბიტიანი Arm Layerscape პორტფელის ნაწილი, რომ...

აირჩიეთ თქვენი ქვეყანა ან რეგიონი.