RN1910FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

გამოსახულება შეიძლება იყოს წარმომადგენლობა. იხილეთ დეტალები პროდუქტის დეტალებზე.

პროდუქტის მიმოხილვა

ნაწილი ნომერი:	RN1910FE(T5L,F,T)
მწარმოებელი / ბრენდი:	Toshiba Semiconductor and Storage
Პროდუქტის აღწერა	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
მონაცემთა ბაზები:	RN1910FE(T5L,F,T).pdf
RoHs სტატუსი	იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
საფონდო მდგომარეობა	238826 pcs stock
გემიდან	ჰონგ კონგი
გადაზიდვის გზა	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 238826 pcs

საცნობარო ფასი (აშშ დოლარებში)

1 pcs: $0.148

10 pcs: $0.106

25 pcs: $0.082

100 pcs: $0.062

250 pcs: $0.044

500 pcs: $0.035

მოითხოვეთ ციტატა: გთხოვთ შეავსოთ ყველა საჭირო ველი თქვენი საკონტაქტო ინფორმაციაზე. დააჭირეთ " SUBMIT RFQ " დაგვიკავშირდით ცოტა ხნით ელ. ან მოგვწერეთ:Info@infinity-electronic.com

მიზნის ფასი:(USD)
Qty:

სულ:$0.148

გთხოვთ მოგვცეს თქვენი სამიზნე ფასი, თუ რაოდენობით მეტია ნაჩვენები.

ნაწილი ნომერი
კომპანიის სახელი
საკონტაქტო სახელი
ელ.ფოსტა
შეტყობინება

სპეციფიკაციები RN1910FE(T5L,F,T)

ნაწილი ნომერი	RN1910FE(T5L,F,T)	მწარმოებელი	Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
რაოდენობა ხელმისაწვდომია	238826 pcs	მონაცემთა ფურცელი	RN1910FE(T5L,F,T).pdf
ძაბვის - კოლექტორი Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce სატურაცია (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
ტრანზისტორი ტიპი	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი	ES6
სერია	-	Resistor - Emitter ბაზა (R2)	-
Resistor - ბაზა (R1)	4.7 kOhms	სიმძლავრე - მაქს	100mW
შეფუთვა	Cut Tape (CT)	პაკეტი / საქმე	SOT-563, SOT-666
Სხვა სახელები	RN1910FE(T5LFT)CT	სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL)	1 (Unlimited)	იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	Lead free / RoHS Compliant
სიხშირე - გარდამავალი	250MHz	დეტალური აღწერა	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC აქტუალური შემოსავალი (hFE) (მინ.) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	აქტუალური - კოლექტორი Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
აქტუალური - კოლექტორი (Ic) (Max)	100mA

გადაზიდვა
გაყიდვების შემდეგ
მონაცემთა ბაზები

FREE SHIPPING VIA DHL / FEDEX / UPS თუ შეკვეთა AMOUNT 1000 USD.
(მხოლოდ ინტეგრირებული მიკროსქემების, მიკროსქემების დაცვის, RF / IF და RFID, ოპტოელექტრონი, სენსორები, გარდამქმნელები, ტრანსფორმატორები, იზოლატორები, კონცენტრატორები,

FEDEX	www.FedEx.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
DHL	www.DHL.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
UPS	www.UPS.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
TNT	www.TNT.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.

Delivery დრო დასჭირდება 2-4 დღე ქვეყნის უმრავლესობას DHL / UPS / FEDEX / TNT- ის მიერ.

გთხოვთ მოგერიდებათ დაგვიკავშირდეთ თუ გაქვთ რაიმე შეკითხვა გადაზიდვაზე. მოგვწერეთ Info@infinity-electronic.com

შემდგომი გაყიდვების გარანტია

Infinity-Semiconductor.com- ს თითოეული პროდუქტი 1 წელიწადში გარანტიითაა გათვალისწინებული .ამ პერიოდში, ჩვენ შეგვიძლია გავცეთ თავისუფალი ტექნიკური უზრუნველყოფა თუ ჩვენი პროდუქციის შესახებ რაიმე პრობლემა არსებობს.
თუ ხარისხის პროდუქციის შესახებ ჩვენი პროდუქციის მიღწევის შემდეგ ხარისხის პრობლემები აღმოაჩენთ, თქვენ შეგიძლიათ შეამოწმოთ ისინი და უპირობო დაბრუნების შემთხვევაში გამოიყენონ.
თუ პროდუქტი ნაკლოვანებებია ან არ მუშაობს, შეგიძლიათ დაბრუნდეთ ჩვენ 1 წლის განმავლობაში, ყველა სატრანსპორტო და საბაჟო გადასახადი გვაკისრია.

დაკავშირებული Tags

Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T) დისტრიბუტორი
RN1910FE(T5L,F,T) მომწოდებელი
RN1910FE(T5L,F,T) ფასი
RN1910FE(T5L,F,T) სურათები
RN1910FE(T5L,F,T) გამოსახულება
RN1910FE(T5L,F,T) PDF Datasheet
RN1910FE(T5L,F,T) Download Datasheet
RN1910FE(T5L,F,T) Datasheet
RN1910FE(T5L,F,T) საფონდო
შეიძინეთ RN1910FE(T5L,F,T)
შეიძინეთ Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage მომწოდებელი
Toshiba Semiconductor and Storage დისტრიბუტორი
Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba RN1910FE(T5L,F,T)

მსგავსი პროდუქტები

: RN1908FE(TE85L,F); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6; Საწყობში: 1392473 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1908FE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN1908(T5L,F,T); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6; Საწყობში: 227557 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1908(T5L,F,T).pdf; RFQ

: RN1961(TE85L,F); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6; Საწყობში: 163254 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1961(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN1907FE,LF(CB; მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6; Საწყობში: 2103292 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1907FE,LF(CB.pdf; RFQ

: RN1961FE(TE85L,F); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6; Საწყობში: 4473 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1961FE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN1910,LF(CT; მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6; Საწყობში: 326177 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1910,LF(CT.pdf; RFQ

: RN1910FE,LF(CT; მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6; Საწყობში: 2188820 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1910FE,LF(CT.pdf; RFQ

: RN1911FETE85LF; მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6; Საწყობში: 2648957 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1911FETE85LF.pdf; RFQ

: RN1962FE(TE85L,F); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6; Საწყობში: 213021 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1962FE(TE85L,F).pdf; RFQ

: RN1909(T5L,F,T); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6; Საწყობში: 248967 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1909(T5L,F,T).pdf; RFQ

: RN1911(T5L,F,T); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6; Საწყობში: 6748 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1911(T5L,F,T).pdf; RFQ

: RN1909FE(TE85L,F); მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6; Საწყობში: 223155 pcs; ჩამოტვირთვა: RN1909FE(TE85L,F).pdf; RFQ

მრეწველობა სიახლეები

Rohm დასძენს 10 საავტომობილო SiC mosfets: "SCT3xxxxxxHR სერიის დანერგვა საშუალებას აძლევს Rohm შესთავაზ...

ჩართულია SiC MOSFET- ებზე: სემიკონდუქტორს წარუდგინა ორი SiC MOSFETS, რომელიც მიზნად ის...

APEC: TI ფიქრობს, რომ გვიან მივყავით AC-DC ჩიპი 15 მტ სტენით: "ეს ხელსაწყო აღწევს საუკეთესო ბალანსს მაღალი ეფექტურო...

სპონსორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრის ანალიზატორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრი ანალიზატორი არის ძალიან ძლიერი და მო...

ნახევრად საწარმოო დანადგარებს, სავარაუდოდ, 14% -ით შემცირდა და მომავალ წელს 27% -ით იზრდება: მეხსიერების სექტორში შეფერხების შედეგად, 2019 წელს შემც...

დენის ბეჭედი ალიანსი წყვეტს მასპინძელი CPU- ს, რათა უზრუნველყოს PSU- ების მონიტორინგი და დაამატოს მითითება: ალიანსმა (Artesyn ჩამონტაჟებული ტექნოლოგიები, Bel Power და STMicr...

APEC: SiC ძალა და გაუმჯობესდა Cloud დაფუძნებული დენის ინსტრუმენტები: ძიების შესაძლებლობები გაუმჯობესდა და არსებობს კარუსე...

Dengrove დასძენს სივრცეში გადარჩენის DC / DC კონვერტორები საწყისი Recom: ისინი განკუთვნილია აპლიკაციებისთვის, რომლებიც საჭირო...

პირველი სამხედრო-კვალიფიცირებული Arm პროცესორი hi-rel განაცხადების: LS1046A არის NXP- ის 64-ბიტიანი Arm Layerscape პორტფელის ნაწილი, რომ...

აირჩიეთ თქვენი ქვეყანა ან რეგიონი.