CIG22H1R2MAE

Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

გამოსახულება შეიძლება იყოს წარმომადგენლობა. იხილეთ დეტალები პროდუქტის დეტალებზე.

პროდუქტის მიმოხილვა

ნაწილი ნომერი:	CIG22H1R2MAE
მწარმოებელი / ბრენდი:	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Პროდუქტის აღწერა	FIXED IND 1.2UH 1.7A 65 MOHM SMD
მონაცემთა ბაზები:	CIG22H1R2MAE.pdf
RoHs სტატუსი	იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
საფონდო მდგომარეობა	1198733 pcs stock
გემიდან	ჰონგ კონგი
გადაზიდვის გზა	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1198733 pcs

საცნობარო ფასი (აშშ დოლარებში)

150000 pcs: $0.026

მოითხოვეთ ციტატა: გთხოვთ შეავსოთ ყველა საჭირო ველი თქვენი საკონტაქტო ინფორმაციაზე. დააჭირეთ " SUBMIT RFQ " დაგვიკავშირდით ცოტა ხნით ელ. ან მოგვწერეთ:Info@infinity-electronic.com

მიზნის ფასი:
Qty:

სულ:$0.026

გთხოვთ მოგვცეს თქვენი სამიზნე ფასი, თუ რაოდენობით მეტია ნაჩვენები.

ნაწილი ნომერი
კომპანიის სახელი
საკონტაქტო სახელი
ელ.ფოსტა
შეტყობინება

სპეციფიკაციები CIG22H1R2MAE

ნაწილი ნომერი	CIG22H1R2MAE	მწარმოებელი	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
აღწერა	FIXED IND 1.2UH 1.7A 65 MOHM SMD	იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant
რაოდენობა ხელმისაწვდომია	1198733 pcs	მონაცემთა ფურცელი	CIG22H1R2MAE.pdf
ტიპი	Multilayer	ტოლერანტობა	±20%
მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი	1008 (2520 Metric)	ზომა / განზომილება	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
დაცვა	Shielded	სერია	CIG22H_MAE
რეიტინგები	-	Q @ Freq	-
შეფუთვა	Tape & Reel (TR)	პაკეტი / საქმე	1008 (2520 Metric)
ოპერაციული ტემპერატურა	-40°C ~ 125°C	სამონტაჟო ტიპი	Surface Mount
მასალა - Core	-	იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი	Lead free / RoHS Compliant
ინდუქციური სიხშირე - ტესტი	1MHz	ინდუქცია	1.2µH
სიმაღლე - მჯდომარე (მაქს)	0.039" (1.00mm)	სიხშირე - თვითმმართველობის რეზონანსი	-
მახასიათებლები	-	დეტალური აღწერა	1.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.7A 65 mOhm 1008 (2520 Metric)
DC წინააღმდეგობა (DCR)	65 mOhm	მიმდინარე რეიტინგი	1.7A
აქტუალური - სატურაცია	-

გადაზიდვა
გაყიდვების შემდეგ
მონაცემთა ბაზები

FREE SHIPPING VIA DHL / FEDEX / UPS თუ შეკვეთა AMOUNT 1000 USD.
(მხოლოდ ინტეგრირებული მიკროსქემების, მიკროსქემების დაცვის, RF / IF და RFID, ოპტოელექტრონი, სენსორები, გარდამქმნელები, ტრანსფორმატორები, იზოლატორები, კონცენტრატორები,

FEDEX	www.FedEx.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
DHL	www.DHL.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
UPS	www.UPS.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.
TNT	www.TNT.com	მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში.

Delivery დრო დასჭირდება 2-4 დღე ქვეყნის უმრავლესობას DHL / UPS / FEDEX / TNT- ის მიერ.

გთხოვთ მოგერიდებათ დაგვიკავშირდეთ თუ გაქვთ რაიმე შეკითხვა გადაზიდვაზე. მოგვწერეთ Info@infinity-electronic.com

შემდგომი გაყიდვების გარანტია

Infinity-Semiconductor.com- ს თითოეული პროდუქტი 1 წელიწადში გარანტიითაა გათვალისწინებული .ამ პერიოდში, ჩვენ შეგვიძლია გავცეთ თავისუფალი ტექნიკური უზრუნველყოფა თუ ჩვენი პროდუქციის შესახებ რაიმე პრობლემა არსებობს.
თუ ხარისხის პროდუქციის შესახებ ჩვენი პროდუქციის მიღწევის შემდეგ ხარისხის პრობლემები აღმოაჩენთ, თქვენ შეგიძლიათ შეამოწმოთ ისინი და უპირობო დაბრუნების შემთხვევაში გამოიყენონ.
თუ პროდუქტი ნაკლოვანებებია ან არ მუშაობს, შეგიძლიათ დაბრუნდეთ ჩვენ 1 წლის განმავლობაში, ყველა სატრანსპორტო და საბაჟო გადასახადი გვაკისრია.

დაკავშირებული Tags

Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CIG22H1R2MAE
CIG22H1R2MAE დისტრიბუტორი
CIG22H1R2MAE მომწოდებელი
CIG22H1R2MAE ფასი
CIG22H1R2MAE სურათები
CIG22H1R2MAE გამოსახულება
CIG22H1R2MAE PDF Datasheet
CIG22H1R2MAE Download Datasheet
CIG22H1R2MAE Datasheet
CIG22H1R2MAE საფონდო
შეიძინეთ CIG22H1R2MAE
შეიძინეთ Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. მომწოდებელი
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. დისტრიბუტორი
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CIG22H1R2MAE

მსგავსი პროდუქტები

: CIG22H1R0MAE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 1UH 1.8A 65 MOHM SMD; Საწყობში: 1213557 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H1R0MAE.pdf; RFQ

: CIG22H1R0MNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 1UH 1.5A 80 MOHM SMD; Საწყობში: 906386 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H1R0MNE.pdf; RFQ

: CIG22ER47MNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 470NH 3.2A 36 MOHM SMD; Საწყობში: 1615479 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22ER47MNE.pdf; RFQ

: CIG22E3R3MNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 3.3UH 1.1A 200 MOHM; Საწყობში: 1380920 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22E3R3MNE.pdf; RFQ

: CIG22ER50SNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 500NH SMD; Საწყობში: 1781655 pcs; ჩამოტვირთვა:; RFQ

: CIG22H1R5MAE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 1.5UH 1.5A 74 MOHM SMD; Საწყობში: 1128907 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H1R5MAE.pdf; RFQ

: CIG22H2R2MNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 2.2UH 1.2A 116 MOHM; Საწყობში: 322139 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H2R2MNE.pdf; RFQ

: CIG22H3R3MAE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 3.3UH 1.1A 138 MOHM; Საწყობში: 1103773 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H3R3MAE.pdf; RFQ

: CIG22H1R2MNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 1.2UH 1.5A 94 MOHM SMD; Საწყობში: 343485 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H1R2MNE.pdf; RFQ

: CIG22H2R2MAE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 2.2UH 1.2A 138 MOHM; Საწყობში: 386185 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H2R2MAE.pdf; RFQ

: CIG22E4R7MNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 4.7UH 1A 265 MOHM SMD; Საწყობში: 958770 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22E4R7MNE.pdf; RFQ

: CIG22H1R5MNE; მწარმოებლები: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.; აღწერა: FIXED IND 1.5UH 1.5A 104 MOHM; Საწყობში: 1116381 pcs; ჩამოტვირთვა: CIG22H1R5MNE.pdf; RFQ

მრეწველობა სიახლეები

Rohm დასძენს 10 საავტომობილო SiC mosfets: "SCT3xxxxxxHR სერიის დანერგვა საშუალებას აძლევს Rohm შესთავაზ...

ჩართულია SiC MOSFET- ებზე: სემიკონდუქტორს წარუდგინა ორი SiC MOSFETS, რომელიც მიზნად ის...

APEC: TI ფიქრობს, რომ გვიან მივყავით AC-DC ჩიპი 15 მტ სტენით: "ეს ხელსაწყო აღწევს საუკეთესო ბალანსს მაღალი ეფექტურო...

სპონსორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრის ანალიზატორი: SIGLENT SVA1015X სპექტრი ანალიზატორი არის ძალიან ძლიერი და მო...

ნახევრად საწარმოო დანადგარებს, სავარაუდოდ, 14% -ით შემცირდა და მომავალ წელს 27% -ით იზრდება: მეხსიერების სექტორში შეფერხების შედეგად, 2019 წელს შემც...

დენის ბეჭედი ალიანსი წყვეტს მასპინძელი CPU- ს, რათა უზრუნველყოს PSU- ების მონიტორინგი და დაამატოს მითითება: ალიანსმა (Artesyn ჩამონტაჟებული ტექნოლოგიები, Bel Power და STMicr...

APEC: SiC ძალა და გაუმჯობესდა Cloud დაფუძნებული დენის ინსტრუმენტები: ძიების შესაძლებლობები გაუმჯობესდა და არსებობს კარუსე...

Dengrove დასძენს სივრცეში გადარჩენის DC / DC კონვერტორები საწყისი Recom: ისინი განკუთვნილია აპლიკაციებისთვის, რომლებიც საჭირო...

პირველი სამხედრო-კვალიფიცირებული Arm პროცესორი hi-rel განაცხადების: LS1046A არის NXP- ის 64-ბიტიანი Arm Layerscape პორტფელის ნაწილი, რომ...

აირჩიეთ თქვენი ქვეყანა ან რეგიონი.