ტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - კოლექტორები - ელექტრონული კომპონენტები დისტრიბუტორი

რეკომენდებული მწარმოებლები

Diodes Incorporated: - დიოდების ინკორპორაცია წარმოადგენს ფართო დისტრიბუციის, ლოგიკის, ანალოგური და შერეული სიგნალის ნახევარგამტარების ბაზრებზე მაღალხარისხიან აპლიკაციის სპეციფიკურ ...დეტალები

DMP1046UFDB-7 Diodes Incorporated აღწერა:MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
DMP2065UFDB-7 Diodes Incorporated აღწერა:MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6
DMP2160UFDBQ-7 Diodes Incorporated აღწერა:MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
2N7002VA-7-F Diodes Incorporated აღწერა:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

Electro-Films (EFI) / Vishay: - Vishay- ის პროდუქციის პორტფოლიო არის დისკრეტული ნახევარგამტარების (დიოდების, MOSFETs და ოპტოელექტრონიკის) და პასიური კომპონენტების (რეზისტენტული, გამტარუნარიანებისა დ...დეტალები

SI4932DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SQJ958EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
SI7900AEDN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
SQ1912EH-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ნახევარგამტორმა (Nasdaq: ON) ენერგოეფექტური ინოვაციების მართვაში, მომხმარებელს აძლიერებს გლობალური ენერგიის გამოყენების შემცირებაზე. კომპანია სთავაზობს ენერგოეფექ...დეტალები

FDMD8440L AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:FET ENGR DEV-NOT REL
NTGD3148NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
NVMD6N04R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
FDY2000PZ AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F

International Rectifier (Infineon Technologies): 1999 წლის 1 აპრილს Siemens Semiconductors გახდა Infineon Technologies. დინამიური უფრო მოქნილი კომპანია, რომელიც წარმატებით ხორციელდება მიკროელექტრონიკის კონკურენტუნარიან, ცვალებად სამყ...დეტალები

IRF7103PBF International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
IRF7509TR International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
IRF7328PBF International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
IRF7311TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

LAPIS Semiconductor: ROHM შეიქმნა 1958 წელს კიოტოს, იაპონიაში. ROHM- ის დიზაინები და აწარმოებს ნახევარგამტარებს, ინტეგრირებულ სქემებს და სხვა ელექტრონულ კომპონენტებს. ეს კომპონენტები აღმოჩე...დეტალები

US6K1TR LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
QS8K13TCR LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
QS6K1TR LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
TT8M3TR LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8

Nexperia: - ნექსერია დისკრექსების, ლოგიკისა და MOSFET- ის მოწყობილობების ერთგული გლობალური ლიდერია. ეს ახალი კომპანია დამოუკიდებელი გახდა 2017 წლის დასაწყისში. ეფექტურობაზე ორიე...დეტალები

BUK9K52-60E,115 Nexperia აღწერა:MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D
BUK7K35-60EX Nexperia აღწერა:MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK
PMGD280UN,115 Nexperia აღწერა:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
PMDXB1200UPEZ Nexperia აღწერა:MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN

3,621 related products

1 2 3 4 5 6 789 10 11 12 13 14 15

: FDMD8440L; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: FET ENGR DEV-NOT REL; Საწყობში: 50125 pcs; ჩამოტვირთვა: FDMD8440L.pdf; RFQ

: SI4932DY-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC; Საწყობში: 139760 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4932DY-T1-GE3.pdf; RFQ

: SQJ958EP-T1_GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8; Საწყობში: 223878 pcs; ჩამოტვირთვა: SQJ958EP-T1_GE3.pdf; RFQ

: DMP1046UFDB-7; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN; Საწყობში: 660783 pcs; ჩამოტვირთვა: DMP1046UFDB-7.pdf; RFQ

: NTGD3148NT1G; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP; Საწყობში: 150386 pcs; ჩამოტვირთვა: NTGD3148NT1G.pdf; RFQ

: CSD87381PT; მწარმოებლები: N/A; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB; Საწყობში: 79573 pcs; ჩამოტვირთვა:; RFQ

: SI7900AEDN-T1-E3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8; Საწყობში: 128839 pcs; ჩამოტვირთვა: SI7900AEDN-T1-E3.pdf; RFQ

: IRF7103PBF; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC; Საწყობში: 131580 pcs; ჩამოტვირთვა: IRF7103PBF.pdf; RFQ

: BUK9K52-60E,115; მწარმოებლები: Nexperia; აღწერა: MOSFET 2N-CH 60V 16A LFPAK56D; Საწყობში: 234872 pcs; ჩამოტვირთვა: BUK9K52-60E,115.pdf; RFQ

: DMP2065UFDB-7; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6; Საწყობში: 461057 pcs; ჩამოტვირთვა: DMP2065UFDB-7.pdf; RFQ

: US6K1TR; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6; Საწყობში: 425479 pcs; ჩამოტვირთვა: US6K1TR.pdf; RFQ

: DMP2160UFDBQ-7; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN; Საწყობში: 383701 pcs; ჩამოტვირთვა: DMP2160UFDBQ-7.pdf; RFQ

: BUK7K35-60EX; მწარმოებლები: Nexperia; აღწერა: MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK; Საწყობში: 195129 pcs; ჩამოტვირთვა: BUK7K35-60EX.pdf; RFQ

: NVMD6N04R2G; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC; Საწყობში: 188183 pcs; ჩამოტვირთვა: NVMD6N04R2G.pdf; RFQ

: 2N7002VA-7-F; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563; Საწყობში: 712473 pcs; ჩამოტვირთვა: 2N7002VA-7-F.pdf; RFQ

: IRF7509TR; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8; Საწყობში: 19615 pcs; ჩამოტვირთვა: IRF7509TR.pdf; RFQ

: PMGD280UN,115; მწარმოებლები: Nexperia; აღწერა: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP; Საწყობში: 905920 pcs; ჩამოტვირთვა: PMGD280UN,115.pdf; RFQ

: FDY2000PZ; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F; Საწყობში: 579624 pcs; ჩამოტვირთვა: FDY2000PZ.pdf; RFQ

: SQ1912EH-T1_GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6; Საწყობში: 694305 pcs; ჩამოტვირთვა: SQ1912EH-T1_GE3.pdf; RFQ

: QS8K13TCR; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8; Საწყობში: 174761 pcs; ჩამოტვირთვა: QS8K13TCR.pdf; RFQ

: SIZ346DT-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8-POWER33; Საწყობში: 103158 pcs; ჩამოტვირთვა: SIZ346DT-T1-GE3.pdf; RFQ

: SQJ844AEP-T1_GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8; Საწყობში: 209687 pcs; ჩამოტვირთვა: SQJ844AEP-T1_GE3.pdf; RFQ

: PMDXB1200UPEZ; მწარმოებლები: Nexperia; აღწერა: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN; Საწყობში: 906654 pcs; ჩამოტვირთვა: PMDXB1200UPEZ.pdf; RFQ

: DMN2215UDM-7; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26; Საწყობში: 430000 pcs; ჩამოტვირთვა: DMN2215UDM-7.pdf; RFQ

: IRF7328PBF; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC; Საწყობში: 136856 pcs; ჩამოტვირთვა: IRF7328PBF.pdf; RFQ

: IRF7311TRPBF; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; Საწყობში: 70901 pcs; ჩამოტვირთვა: IRF7311TRPBF.pdf; RFQ

: QS6K1TR; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6; Საწყობში: 358961 pcs; ჩამოტვირთვა: QS6K1TR.pdf; RFQ

: IRF7324TRPBF; მწარმოებლები: Infineon Technologies; აღწერა: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC; Საწყობში: 139555 pcs; ჩამოტვირთვა: IRF7324TRPBF.pdf; RFQ

: TT8M3TR; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8; Საწყობში: 757229 pcs; ჩამოტვირთვა: TT8M3TR.pdf; RFQ

: DMTH4011SPDQ-13; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8; Საწყობში: 76357 pcs; ჩამოტვირთვა: DMTH4011SPDQ-13.pdf; RFQ

: CSD87503Q3E; მწარმოებლები: N/A; აღწერა: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON; Საწყობში: 194072 pcs; ჩამოტვირთვა:; RFQ

: MMDF2P02ER2G; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2P-CH 25V 2.5A 8SOIC; Საწყობში: 141534 pcs; ჩამოტვირთვა: MMDF2P02ER2G.pdf; RFQ

: CSD87333Q3D; მწარმოებლები: N/A; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON; Საწყობში: 70102 pcs; ჩამოტვირთვა:; RFQ

: FQS4903TF; მწარმოებლები: Fairchild/ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP; Საწყობში: 160229 pcs; ჩამოტვირთვა: FQS4903TF.pdf; RFQ

: SIA931DJ-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L; Საწყობში: 168680 pcs; ჩამოტვირთვა: SIA931DJ-T1-GE3.pdf; RFQ

: DMN4031SSD-13; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO; Საწყობში: 377217 pcs; ჩამოტვირთვა: DMN4031SSD-13.pdf; RFQ

: SP8K33FRATB; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP; Საწყობში: 199468 pcs; ჩამოტვირთვა: SP8K33FRATB.pdf; RFQ

: DMP4047SSD-13; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC; Საწყობში: 104152 pcs; ჩამოტვირთვა: DMP4047SSD-13.pdf; RFQ

: IPG20N04S4L08AATMA1; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET 2N-CH 8TDSON; Საწყობში: 145770 pcs; ჩამოტვირთვა: IPG20N04S4L08AATMA1.pdf; RFQ

: FDMS9600S; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56; Საწყობში: 32296 pcs; ჩამოტვირთვა: FDMS9600S.pdf; RFQ

: SIZ730DT-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR; Საწყობში: 151001 pcs; ჩამოტვირთვა: SIZ730DT-T1-GE3.pdf; RFQ

: FDMA2002NZ; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET; Საწყობში: 412518 pcs; ჩამოტვირთვა: FDMA2002NZ.pdf; RFQ

: TSM9926DCS RLG; მწარმოებლები: TSC (Taiwan Semiconductor); აღწერა: MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 6A 8SOP; Საწყობში: 415823 pcs; ჩამოტვირთვა: TSM9926DCS RLG.pdf; RFQ

: DMN63D8LDWQ-7; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363; Საწყობში: 1141615 pcs; ჩამოტვირთვა: DMN63D8LDWQ-7.pdf; RFQ

: FG6943010R; მწარმოებლები: Panasonic; აღწერა: MOSFET N/P-CH 30V 0.1A SSMINI6; Საწყობში: 1129713 pcs; ჩამოტვირთვა: FG6943010R.pdf; RFQ

: SSM6P49NU,LF; მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A; Საწყობში: 501205 pcs; ჩამოტვირთვა: SSM6P49NU,LF.pdf; RFQ

: SI3585CDV-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP; Საწყობში: 450767 pcs; ჩამოტვირთვა: SI3585CDV-T1-GE3.pdf; RFQ

: DMT3009LDT-7; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8; Საწყობში: 266962 pcs; ჩამოტვირთვა: DMT3009LDT-7.pdf; RFQ

3,621 related products

1 2 3 4 5 6 789 10 11 12 13 14 15

Infinity-Semiconductor.com არის მსოფლიოს უმსხვილესი და სწრაფად მზარდი ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი. ჩვენი მისიაა, რათა დაეხმაროს მომხმარებელს სწრაფად მოძებნოს ელექტრონული კომპონენტები, რომლებიც მათ კონკურენტული ფასებით სჭირდებათ. ჩვენ ვამაყობთ, რომ შემოგთავაზოთ ყველაზე სრულყოფილი პროდუქციის პროდუქცია, მათ შორის უახლესი გამოცემები IC, სენსორების, Transducers, კონცენტრატორები, ფილტრები, ოპტოელექტრონიკა და დისკრეტული ნახევარგამტარების მსოფლიოს საუკეთესო მწარმოებლებისაგან.

Ჩვენს შესახებ: Ჩვენს შესახებ; Კონფიდენციალურობის პოლიტიკა; საიტის რუკა

პოლიტიკა: გადაზიდვა; ხარისხი; ინვოისის განცხადება; Მოხმარების პირობები

რესურსები: პროდუქტის კატეგორიები; მწარმოებლები; მრეწველობა სიახლეები; უახლესი პროდუქტები

მომსახურება: მოითხოვეთ ციტატა; Ჩემი ანგარიში; დაგვიკავშირდით

მოითხოვეთ ციტატა

ელ.ფოსტა: Info@infinity-electronic.com
მისამართი: 17F, გეილორდის კომერციული შენობა, 114-118 ლოკჰარტის გზა, ვან ჩაი, ჰონგ-კონგი

აირჩიეთ თქვენი ქვეყანა ან რეგიონი.

ტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - კოლექტორები

რეკომენდებული მწარმოებლები