0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| ნაწილი ნომერი | TK1K2A60F,S4X | მწარმოებელი | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| აღწერა | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი | იცხოვრე უფასო / RoHS Compliant |
| რაოდენობა ხელმისაწვდომია | 78440 pcs | მონაცემთა ფურცელი | TK1K2A60F,S4X.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 630µA | Vgs (Max) | ±30V |
| ტექნიკა | MOSFET (Metal Oxide) | მიმწოდებელი მოწყობილობა პაკეტი | TO-220SIS |
| სერია | U-MOSIX | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3A, 10V |
| დენის წყობა (მაქსიმალური) | 35W (Tc) | შეფუთვა | Tube |
| პაკეტი / საქმე | TO-220-3 Full Pack | Სხვა სახელები | TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60FS4X TK1K2A60FS4X(S |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C | სამონტაჟო ტიპი | Through Hole |
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Not Applicable | იცხოვრე თავისუფალი სტატუსი / RoHS სტატუსი | Lead free / RoHS Compliant |
| შეყვანის Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 300V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| FET ტიპი | N-Channel | FET ფუნქცია | - |
| Drive Voltage (Max საკაბელო On, Min RDS On) | 10V | გადინების წყარო ძაბვა (Vdss) | 600V |
| დეტალური აღწერა | N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS | მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში. |
| UPS | www.UPS.com | მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში. |
| TNT | www.TNT.com | მდებარეობა $ 35.00 საბაზო გადაზიდვის საფასური დამოკიდებულია ზონაში და ქვეყანაში. |
