ტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - Single - ელექტრონული კომპონენტები დისტრიბუტორი

რეკომენდებული მწარმოებლები

Electro-Films (EFI) / Vishay: - Vishay- ის პროდუქციის პორტფოლიო არის დისკრეტული ნახევარგამტარების (დიოდების, MOSFETs და ოპტოელექტრონიკის) და პასიური კომპონენტების (რეზისტენტული, გამტარუნარიანებისა დ...დეტალები

SI4465ADY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET P-CH 8V 8SOIC
SIE874DF-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK
IRFR9310PBF Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SQM90142E_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay აღწერა:MOSFET N-CH 200V 95A TO263

STMicroelectronics: - STMicroelectronics არის გლობალური დამოუკიდებელი ნახევარგამტარული კომპანია და არის ლიდერი განვითარებისა და მიწოდების ნახევარგამტარული გადაწყვეტილებები მასშტაბით სპექტ...დეტალები

STP1N105K3 STMicroelectronics აღწერა:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220
STF6N65M2 STMicroelectronics აღწერა:MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STB14NK60ZT4 STMicroelectronics აღწერა:MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
STW56N60M2-4 STMicroelectronics აღწერა:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ნახევარგამტორმა (Nasdaq: ON) ენერგოეფექტური ინოვაციების მართვაში, მომხმარებელს აძლიერებს გლობალური ენერგიის გამოყენების შემცირებაზე. კომპანია სთავაზობს ენერგოეფექ...დეტალები

FDB120N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:MOSFET NCH 100V 74A D2PAK
FQI27N25TU-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
FCH077N65F-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:MOSFET N-CH 650V 54A TO247
FDMC7570S AMI Semiconductor / ON Semiconductor აღწერა:MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

International Rectifier (Infineon Technologies): 1999 წლის 1 აპრილს Siemens Semiconductors გახდა Infineon Technologies. დინამიური უფრო მოქნილი კომპანია, რომელიც წარმატებით ხორციელდება მიკროელექტრონიკის კონკურენტუნარიან, ცვალებად სამყ...დეტალები

AUIRFSL6535 International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET NCH 300V 19A TO262
IPD65R190C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
IPW60R125P6XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET N-CH 600V TO247-3
IRF6678TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) აღწერა:MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

LAPIS Semiconductor: ROHM შეიქმნა 1958 წელს კიოტოს, იაპონიაში. ROHM- ის დიზაინები და აწარმოებს ნახევარგამტარებს, ინტეგრირებულ სქემებს და სხვა ელექტრონულ კომპონენტებს. ეს კომპონენტები აღმოჩე...დეტალები

R6035ENZ1C9 LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET N-CH 600V 35A TO247
SCT3080KLGC11 LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
R5016FNX LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
R6015ENJTL LAPIS Semiconductor აღწერა:MOSFET N-CH 600V 15A LPT

IXYS Corporation: IXYS Corporation გთავაზობთ მაღალი სიმძლავრის სემიკონდუქტორთა ფართო ხაზს, მათ შორის დაბალი მდგრადი სიმძლავრის MOSFETs, ულტრა სწრაფი გადართვა IGBTs, სწრაფი აღდგენის დიოდები (FREDs), ...დეტალები

IXFH270N06T3 IXYS Corporation აღწერა:60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
IXFB150N65X2 IXYS Corporation აღწერა:MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
IXFA6N120P IXYS Corporation აღწერა:MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
IXFA10N60P IXYS Corporation აღწერა:MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

28,663 related products

1 234 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

: FDB120N10; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK; Საწყობში: 55729 pcs; ჩამოტვირთვა: FDB120N10.pdf; RFQ

: STP1N105K3; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220; Საწყობში: 47596 pcs; ჩამოტვირთვა: STP1N105K3.pdf; RFQ

: SI4465ADY-T1-E3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET P-CH 8V 8SOIC; Საწყობში: 45408 pcs; ჩამოტვირთვა: SI4465ADY-T1-E3.pdf; RFQ

: 2N7002-HF; მწარმოებლები: Comchip Technology; აღწერა: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23; Საწყობში: 208100 pcs; ჩამოტვირთვა: 2N7002-HF.pdf; RFQ

: STF6N65M2; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP; Საწყობში: 48016 pcs; ჩამოტვირთვა: STF6N65M2.pdf; RFQ

: SIE874DF-T1-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK; Საწყობში: 27840 pcs; ჩამოტვირთვა: SIE874DF-T1-GE3.pdf; RFQ

: IXFH270N06T3; მწარმოებლები: IXYS Corporation; აღწერა: 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE; Საწყობში: 13991 pcs; ჩამოტვირთვა: IXFH270N06T3.pdf; RFQ

: AUIRFSL6535; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET NCH 300V 19A TO262; Საწყობში: 25710 pcs; ჩამოტვირთვა: AUIRFSL6535.pdf; RFQ

: IPD65R190C7ATMA1; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 650V 13A TO-252; Საწყობში: 24461 pcs; ჩამოტვირთვა: IPD65R190C7ATMA1.pdf; RFQ

: APT24F50B; მწარმოებლები: Microsemi; აღწერა: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247; Საწყობში: 12259 pcs; ჩამოტვირთვა: APT24F50B.pdf; RFQ

: IRFR9310PBF; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK; Საწყობში: 58886 pcs; ჩამოტვირთვა: IRFR9310PBF.pdf; RFQ

: FQI27N25TU-F085; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK; Საწყობში: 21827 pcs; ჩამოტვირთვა: FQI27N25TU-F085.pdf; RFQ

: STB14NK60ZT4; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK; Საწყობში: 19611 pcs; ჩამოტვირთვა: STB14NK60ZT4.pdf; RFQ

: SQM90142E_GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 200V 95A TO263; Საწყობში: 25492 pcs; ჩამოტვირთვა: SQM90142E_GE3.pdf; RFQ

: IPW60R125P6XKSA1; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 600V TO247-3; Საწყობში: 13744 pcs; ჩამოტვირთვა: IPW60R125P6XKSA1.pdf; RFQ

: IXFB150N65X2; მწარმოებლები: IXYS Corporation; აღწერა: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264; Საწყობში: 3132 pcs; ჩამოტვირთვა: IXFB150N65X2.pdf; RFQ

: IRFBE20PBF; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB; Საწყობში: 57685 pcs; ჩამოტვირთვა: IRFBE20PBF.pdf; RFQ

: IRF6678TRPBF; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET; Საწყობში: 24622 pcs; ჩამოტვირთვა: IRF6678TRPBF.pdf; RFQ

: ZXMN2A02X8TA; მწარმოებლები: Diodes Incorporated; აღწერა: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP; Საწყობში: 97712 pcs; ჩამოტვირთვა: ZXMN2A02X8TA.pdf; RFQ

: AOB20S60L; მწარმოებლები: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 20A TO263; Საწყობში: 28755 pcs; ჩამოტვირთვა: AOB20S60L.pdf; RFQ

: SQP90142E_GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB; Საწყობში: 29654 pcs; ჩამოტვირთვა: SQP90142E_GE3.pdf; RFQ

: STW56N60M2-4; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4; Საწყობში: 10472 pcs; ჩამოტვირთვა: STW56N60M2-4.pdf; RFQ

: FCH077N65F-F085; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 650V 54A TO247; Საწყობში: 11727 pcs; ჩამოტვირთვა: FCH077N65F-F085.pdf; RFQ

: IPA65R600E6XKSA1; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220; Საწყობში: 39389 pcs; ჩამოტვირთვა: IPA65R600E6XKSA1.pdf; RFQ

: R6035ENZ1C9; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 35A TO247; Საწყობში: 15930 pcs; ჩამოტვირთვა: R6035ENZ1C9.pdf; RFQ

: IPB60R180P7ATMA1; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET TO263-3; Საწყობში: 33052 pcs; ჩამოტვირთვა: IPB60R180P7ATMA1.pdf; RFQ

: TK40A10N1,S4X; მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220; Საწყობში: 46941 pcs; ჩამოტვირთვა: TK40A10N1,S4X.pdf; RFQ

: FDMC7570S; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33; Საწყობში: 30045 pcs; ჩამოტვირთვა: FDMC7570S.pdf; RFQ

: IXFA6N120P; მწარმოებლები: IXYS Corporation; აღწერა: MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK; Საწყობში: 13241 pcs; ჩამოტვირთვა: IXFA6N120P.pdf; RFQ

: GP1M020A050N; მწარმოებლები: Global Power Technologies Group; აღწერა: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN; Საწყობში: 40404 pcs; ჩამოტვირთვა: GP1M020A050N.pdf; RFQ

: TK14E65W5,S1X; მწარმოებლები: Toshiba Semiconductor and Storage; აღწერა: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB; Საწყობში: 29721 pcs; ჩამოტვირთვა: TK14E65W5,S1X.pdf; RFQ

: SIHG47N60AE-GE3; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC; Საწყობში: 11426 pcs; ჩამოტვირთვა: SIHG47N60AE-GE3.pdf; RFQ

: HUF76633S3ST-F085; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 100V 39A TO-263AB; Საწყობში: 38039 pcs; ჩამოტვირთვა: HUF76633S3ST-F085.pdf; RFQ

: SPW24N60C3FKSA1; მწარმოებლები: International Rectifier (Infineon Technologies); აღწერა: MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247; Საწყობში: 12585 pcs; ჩამოტვირთვა: SPW24N60C3FKSA1.pdf; RFQ

: SCT3080KLGC11; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N; Საწყობში: 6404 pcs; ჩამოტვირთვა: SCT3080KLGC11.pdf; RFQ

: R5016FNX; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM; Საწყობში: 12754 pcs; ჩამოტვირთვა: R5016FNX.pdf; RFQ

: IRFI9634GPBF; მწარმოებლები: Electro-Films (EFI) / Vishay; აღწერა: MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP; Საწყობში: 25652 pcs; ჩამოტვირთვა: IRFI9634GPBF.pdf; RFQ

: R6015ENJTL; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 15A LPT; Საწყობში: 22044 pcs; ჩამოტვირთვა: R6015ENJTL.pdf; RFQ

: STP20N65M5; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 650V 18A TO-220; Საწყობში: 14351 pcs; ჩამოტვირთვა: STP20N65M5.pdf; RFQ

: IXFA10N60P; მწარმოებლები: IXYS Corporation; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK; Საწყობში: 24757 pcs; ჩამოტვირთვა: IXFA10N60P.pdf; RFQ

: FQP55N10; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220; Საწყობში: 46306 pcs; ჩამოტვირთვა: FQP55N10.pdf; RFQ

: TSM60NB099CZ C0G; მწარმოებლები: TSC (Taiwan Semiconductor); აღწერა: MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220; Საწყობში: 13446 pcs; ჩამოტვირთვა: TSM60NB099CZ C0G.pdf; RFQ

: STW12NK95Z; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 950V 10A TO-247; Საწყობში: 13442 pcs; ჩამოტვირთვა: STW12NK95Z.pdf; RFQ

: STP80N10F7; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220; Საწყობში: 31872 pcs; ჩამოტვირთვა: STP80N10F7.pdf; RFQ

: STY145N65M5; მწარმოებლები: STMicroelectronics; აღწერა: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247; Საწყობში: 2418 pcs; ჩამოტვირთვა: STY145N65M5.pdf; RFQ

: TSM60NB190CI C0G; მწარმოებლები: TSC (Taiwan Semiconductor); აღწერა: MOSFET N-CH 600V 18A ITO220; Საწყობში: 30018 pcs; ჩამოტვირთვა: TSM60NB190CI C0G.pdf; RFQ

: FQD5N60CTM-WS; მწარმოებლები: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 600V 2.8A; Საწყობში: 80870 pcs; ჩამოტვირთვა: FQD5N60CTM-WS.pdf; RFQ

: RCX051N25; მწარმოებლები: LAPIS Semiconductor; აღწერა: MOSFET N-CH 250V 5A TO220; Საწყობში: 63776 pcs; ჩამოტვირთვა: RCX051N25.pdf; RFQ

28,663 related products

1 234 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

Infinity-Semiconductor.com არის მსოფლიოს უმსხვილესი და სწრაფად მზარდი ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი. ჩვენი მისიაა, რათა დაეხმაროს მომხმარებელს სწრაფად მოძებნოს ელექტრონული კომპონენტები, რომლებიც მათ კონკურენტული ფასებით სჭირდებათ. ჩვენ ვამაყობთ, რომ შემოგთავაზოთ ყველაზე სრულყოფილი პროდუქციის პროდუქცია, მათ შორის უახლესი გამოცემები IC, სენსორების, Transducers, კონცენტრატორები, ფილტრები, ოპტოელექტრონიკა და დისკრეტული ნახევარგამტარების მსოფლიოს საუკეთესო მწარმოებლებისაგან.

Ჩვენს შესახებ: Ჩვენს შესახებ; Კონფიდენციალურობის პოლიტიკა; საიტის რუკა

პოლიტიკა: გადაზიდვა; ხარისხი; ინვოისის განცხადება; Მოხმარების პირობები

რესურსები: პროდუქტის კატეგორიები; მწარმოებლები; მრეწველობა სიახლეები; უახლესი პროდუქტები

მომსახურება: მოითხოვეთ ციტატა; Ჩემი ანგარიში; დაგვიკავშირდით

მოითხოვეთ ციტატა

ელ.ფოსტა: Info@infinity-electronic.com
მისამართი: 17F, გეილორდის კომერციული შენობა, 114-118 ლოკჰარტის გზა, ვან ჩაი, ჰონგ-კონგი

აირჩიეთ თქვენი ქვეყანა ან რეგიონი.

ტრანზისტორები - FETs, MOSFETS - Single

რეკომენდებული მწარმოებლები