დიოდები - რეტიფიკატორები - მარტო
რეკომენდებული მწარმოებლები
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ნახევარგამტორმა (Nasdaq: ON) ენერგოეფექტური ინოვაციების მართვაში, მომხმარებელს აძლიერებს გლობალური ენერგიის გამოყენების შემცირებაზე. კომპანია სთავაზობს ენერგოეფექ...დეტალები
-
FFSH20120A-F085
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
აღწერა:1200V 20A AUTO SIC SBD
-
FFSP10120A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
-
MBR1080G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 80V 10A TO220-2
-
FFB10UP20STM
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
აღწერა:DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- - Vishay- ის პროდუქციის პორტფოლიო არის დისკრეტული ნახევარგამტარების (დიოდების, MOSFETs და ოპტოელექტრონიკის) და პასიური კომპონენტების (რეზისტენტული, გამტარუნარიანებისა დ...დეტალები
-
VS-60EPF10-M3
Electro-Films (EFI) / Vishay
აღწერა:DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AC
-
VS-1N1199A
Electro-Films (EFI) / Vishay
აღწერა:DIODE GEN PURP 50V 12A DO203AA
-
V4PAL45HM3/I
Electro-Films (EFI) / Vishay
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221BC
-
VS-123NQ100PBF
Electro-Films (EFI) / Vishay
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (NASDAQ: MSCC) გთავაზობთ ნახევარგამტარისა და სისტემური გადაწყვეტილებების ფართო პორტფელს კოსმოსური და თავდაცვის, კომუნიკაციების, მონაცემთა ცენტრისა და სამ...დეტალები
-
1N6643US
Microsemi
აღწერა:DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B
-
JANS1N5819-1
Microsemi
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41
-
APTDF500U40G
Microsemi
აღწერა:DIODE GEN PURP 400V 500A LP4
-
JANTXV1N5616
Microsemi
აღწერა:DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- - აღიარებულია 37 წელზე მეტი ხნის განმავლობაში დისკრეტული სიმძლავრის რექტორფილებში მისი ძირითადი კომპეტენციისთვის, ტაივანური ნახევარგამტორმა გააფართოვა თავისი პრ...დეტალები
-
TST10L200CW C0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
-
MUR160S R5G
TSC (Taiwan Semiconductor)
აღწერა:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
-
1N5408G A0G
TSC (Taiwan Semiconductor)
აღწერა:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
-
S10GC V7G
TSC (Taiwan Semiconductor)
აღწერა:DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB
- LAPIS Semiconductor
- ROHM შეიქმნა 1958 წელს კიოტოს, იაპონიაში. ROHM- ის დიზაინები და აწარმოებს ნახევარგამტარებს, ინტეგრირებულ სქემებს და სხვა ელექტრონულ კომპონენტებს. ეს კომპონენტები აღმოჩე...დეტალები
-
SCS212AMC
LAPIS Semiconductor
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220FM
-
SCS212AGC
LAPIS Semiconductor
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC
-
RFUS20TM4S
LAPIS Semiconductor
აღწერა:DIODE GEN PURP 430V 20A TO220NFM
-
RB550VAM-30TR
LAPIS Semiconductor
აღწერა:DIODE SCHOTTKY 30V 1A TUMD2M